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SCT30N120D2

SCT30N120D2

SCT30N120D2

STMicroelectronics

SICFET N-CH 1200V 40A HIP247

compliant

SCT30N120D2 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $20.75151 $20.75151
500 $20.5439949 $10271.99745
1000 $20.3364798 $20336.4798
1500 $20.1289647 $30193.44705
2000 $19.9214496 $39842.8992
2500 $19.7139345 $49284.83625
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(vdss) 1200 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 40A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 20V
rds on (max) @ id, vgs 100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (최대) @ id 3.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 105 nC @ 20 V
vgs(최대) +25V, -10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1700 pF @ 400 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 270W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 HiP247™
패키지 / 케이스 TO-247-3
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