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STH110N10F7-2

STH110N10F7-2

STH110N10F7-2

STMicroelectronics

MOSFET N CH 100V 110A H2PAK

compliant

STH110N10F7-2 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1,000 $1.70825 -
2,000 $1.60298 -
5,000 $1.55034 -
116 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 110A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 6.5mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 5117 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 150W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 H2Pak-2
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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