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CSD19501KCS

CSD19501KCS

CSD19501KCS

Texas Instruments

MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

compliant

CSD19501KCS 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $2.00000 $2
10 $1.80700 $18.07
50 $1.61680 $80.84
100 $1.45820 $145.82
500 $1.14120 $570.6
1,000 $0.95100 -
2,500 $0.91930 -
884 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 80 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 100A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 6.6mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3980 pF @ 40 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 217W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220-3
패키지 / 케이스 TO-220-3
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