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SI7106DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8

비준수

SI7106DN-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.61041 -
6,000 $0.58175 -
15,000 $0.56128 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 12.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.5W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8
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