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SI7116BDN-T1-GE3

SI7116BDN-T1-GE3

SI7116BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK

SOT-23

비준수

SI7116BDN-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.21000 $1.21
500 $1.1979 $598.95
1000 $1.1858 $1185.8
1500 $1.1737 $1760.55
2000 $1.1616 $2323.2
2500 $1.1495 $2873.75
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 18.4A (Ta), 65A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 7.4mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1915 pF @ 20 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8
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