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SIA938DJT-T1-GE3

SIA938DJT-T1-GE3

SIA938DJT-T1-GE3

Vishay Siliconix

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

SOT-23

비준수

SIA938DJT-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 21.5mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 11.5nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 425pF @ 10V
전력 - 최대 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 Dual
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Dual
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