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SISA10BDN-T1-GE3

SISA10BDN-T1-GE3

SISA10BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

비준수

SISA10BDN-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.95000 $0.95
500 $0.9405 $470.25
1000 $0.931 $931
1500 $0.9215 $1382.25
2000 $0.912 $1824
2500 $0.9025 $2256.25
6050 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 26A (Ta), 104A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 3.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 36.2 nC @ 10 V
vgs(최대) +20V, -16V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1710 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.8W (Ta), 63W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8
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