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SIZ200DT-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH DUAL 30V

비준수

SIZ200DT-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.48708 -
6,000 $0.46421 -
15,000 $0.44788 -
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제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
전력 - 최대 4.3W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerWDFN
공급업체 장치 패키지 8-PowerPair® (3.3x3.3)
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