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SQJ858AEP-T1_BE3

SQJ858AEP-T1_BE3

SQJ858AEP-T1_BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

compliant

SQJ858AEP-T1_BE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.44000 $1.44
500 $1.4256 $712.8
1000 $1.4112 $1411.2
1500 $1.3968 $2095.2
2000 $1.3824 $2764.8
2500 $1.368 $3420
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 58A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 6.3mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2450 pF @ 20 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 48W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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